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晶体管 - FET,MOSFET - 单
P沟道 -30V -4A
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沟道
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沟道
P 沟道
耐压
30 V
连续漏极电流
4.2 A
导通电阻
85 mΩ
最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.2A
其他
导通电阻(RDS(on))
85mΩ@2.5V,2.5A
数量
1个P沟道
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数据手册 · 946.4 KB · 2026-09-21
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