【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有18A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件依托碳化硅材料的高击穿电场与优异热导率，在高频、高效率的电源拓扑中表现出低开关损耗和良好的热稳定性。适用于对体积、效率及动态性能有较高要求的电力电子系统，如开关电源、储能变换器及高频逆变结构。
连续漏极电流18 A
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连续漏极电流18 A
| 环境与封装 | |
|---|---|
| 封装 | TO-220F |
| 其他 | |
| ID | 18A |
| RDON | 94mR |
| TYPE | N-ch |
| VDSS | 650V |
| VGS | -10/+25V |