Toshiba Semiconductor and Storage日本

TK110E10PL,S1X(S

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压100 V
连续漏极电流42 A

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技术参数

耐压100 V
连续漏极电流42 A
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)42A
其他
耗散功率(Pd)87W

技术资料

数据手册数据手册 · 571.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 326.2 KB · 2026-09-21
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