【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频开关应用。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升整体系统能效与功率密度。
连续漏极电流30 A
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连续漏极电流30 A
| 环境与封装 | |
|---|---|
| 封装 | TO-220C |
| 其他 | |
| ID | 30A |
| RDON | 94mR |
| TYPE | N-ch |
| VDSS | 650V |
| VGS | -10/+25V |