【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电力转换场景。其低RDS(ON)有助于减小导通功耗，提升系统整体能效，同时宽VGS耐压范围增强了驱动兼容性与可靠性。
连续漏极电流32 A
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连续漏极电流32 A
| 环境与封装 | |
|---|---|
| 封装 | TO-247 |
| 其他 | |
| ID | 32A |
| RDON | 94mR |
| TYPE | N-ch |
| VDSS | 650V |
| VGS | -10/+25V |