【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为75mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与热导率优势，在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率、热性能及空间布局要求较高的电源转换系统。其参数特性支持在严苛电气环境中实现稳定可靠的运行。
连续漏极电流36 A
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连续漏极电流36 A
| 环境与封装 | |
|---|---|
| 封装 | TO-247H-4L |
| 其他 | |
| ID | 36A |
| RDON | 75mR |
| TYPE | N-ch |
| VDSS | 650V |
| VGS | -8/+20V |