OSEN(欧芯)中国

TK11A65W

晶体管 - FET，MOSFET - 单

高品质超洁MOS管 N沟道,电流11.1A,耐压650V,导通电阻：0.33Ω

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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流11.1 A
导通电阻390 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流11.1 A
导通电阻390 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)11.1A
其他
导通电阻(RDS(on))390mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 3.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.9 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.6 MB · 2026-09-21
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