【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至+16V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节，有助于提升整体能效并减小系统体积。
连续漏极电流15 A
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连续漏极电流15 A
| 环境与封装 | |
|---|---|
| 封装 | TO-220F |
| 其他 | |
| ID | 15A |
| RDON | 260mR |
| TYPE | N-ch |
| VDSS | 650V |
| VGS | -5~+16V |