TL431IDR2

IC VREF SHUNT ADJ 2.2% 8SOIC

TL431IDR2 是一款三端可编程精密基准源，参考电压 2.5V，可编程至 36V，采用 SOIC-8 封装，工作温度 -40°C 至 85°C，具备低动态阻抗和低最小工作电流特性。规格书核对

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20 项

参数	值和测试条件	出处
封装	SOIC-8(Pb-Free)
工作温度	-40°C to 85°C
无铅	Pb-Free
参考输入电压	Min: 2.475 V, Typ: 2.500 V, Max: 2.525 V (V_KA=V_ref, I_K=1 mA, T_A=25°C)
参考输入电压温漂	Typ: 5.0 mV, Max: 10 mV (V_KA=V_ref, I_K=1 mA)
参考输入电流	Typ: 81 nA, Max: 190 nA (I_K=1 mA, R1=220 k, R2=∞, T_A=-40°C to +125°C)
最小阴极电流	Typ: 40 μA, Max: 60 μA (V_KA=V_ref)
关断状态阴极电流	Typ: 180 nA, Max: 1000 nA (V_KA=36 V, V_ref=0 V)
动态阻抗	Typ: 0.22 Ω, Max: 0.5 Ω (V_KA=V_ref, ΔI_K=1.0 mA to 100 mA, f ≤ 1.0 kHz)
推荐阴极-阳极电压	Min: V_ref, Max: 36 V
推荐阴极电流	Min: 0.04 mA, Max: 100 mA
最大阴极-阳极电压	37 V
最大阴极电流	-100 to +150 mA
最大参考输入电流	-5 to +10 mA
最大结温	150 °C
存储温度范围	-65 to +150 °C
总功耗	0.52 W @ T_A = 25°C (SOIC-8, Derate above 25°C Ambient Temperature)
ESD 等级 (HBM)	>2000 V (Human Body Model per JEDEC JESD22-A114FC)
ESD 等级 (CDM)	>1000 V (Charged Device Model per JEDEC JESD22-C101E)
闩锁保护	Exceeds ±100 mA per JEDEC standard JESD78

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封装SOIC-8(Pb-Free)

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。