TP65H035WS-HXY
单 FET，MOSFET本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优良的导通特性和高可靠性，适用于多种高效能电源管理系统。其主要参数包括：最大漏极电流ID为49A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDON为33mΩ，能够有效提升系统效率并降低功耗。该器件具有优异的开关性能和热稳定性，适合应用于中高功率电源转换设备中的主开关元件，如各类适配器、充电器及电源模块中的同步整流与负载切换电路。
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优良的导通特性和高可靠性，适用于多种高效能电源管理系统。其主要参数包括：最大漏极电流ID为49A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDON为33mΩ，能够有效提升系统效率并降低功耗。该器件具有优异的开关性能和热稳定性，适合应用于中高功率电源转换设备中的主开关元件，如各类适配器、充电器及电源模块中的同步整流与负载切换电路。