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TP65H300G4JSGB-TR

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压650 V
连续漏极电流9.2 A
导通电阻312 mΩ

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技术参数

耐压650 V
连续漏极电流9.2 A
导通电阻312 mΩ最大 · 6V
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)9.2A
其他
导通电阻(RDS(on))312mΩ@6V
耗散功率(Pd)41.6W

技术资料

数据手册数据手册 · 1023.4 KB · 2026-09-21
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