TWGMC(台湾迪嘉)中国

TW120N03D

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道/30V/120A

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耐压30 V
连续漏极电流120 A
导通电阻3.8 mΩ

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技术参数

耐压30 V
连续漏极电流120 A
导通电阻3.8 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)120A
其他
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)62.5W

技术资料

数据手册数据手册 · 1.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21
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