VBA5101M
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOP8；N+P—Channel沟道,±100V；4.6/-3.4A；RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1.5~±2.5V；是一款双N+P沟道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电力电子应用。
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SOP8；N+P—Channel沟道,±100V；4.6/-3.4A；RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1.5~±2.5V；是一款双N+P沟道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电力电子应用。
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