VBA5307
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；15/-10.5A；RDS(ON)=7.2/17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V；是一款双N 型和P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。
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SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；15/-10.5A；RDS(ON)=7.2/17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V；是一款双N 型和P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。
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