VBA5606
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；13/-10A；RDS(ON)=6/12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种电路设计。
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SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；13/-10A；RDS(ON)=6/12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种电路设计。
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