VBA5840
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOP8；N+P—Channel沟道,±80V；5.3/-3.9A；RDS(ON)=46/100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3V；是一款双N+P型MOSFET，采用Trench 技术，适用于各种电源管理和功率控制应用场景。
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SOP8；N+P—Channel沟道,±80V；5.3/-3.9A；RDS(ON)=46/100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3V；是一款双N+P型MOSFET，采用Trench 技术，适用于各种电源管理和功率控制应用场景。
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