VBE2102M
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-8.8A；RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流8.8 A
导通电阻280 mΩ
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技术参数
沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流8.8 A
导通电阻280 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |