VBE2658
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻58 mΩ
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技术参数
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻58 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 35A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |