VBZA6679
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流13.5 A
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技术参数
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流13.5 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |