W987D6HBGX6E TR

停产存储器

IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA

类型DRAM
容量128 Mbit
接口并口
供电电压1.7 ~ 1.95 V

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技术参数

类型DRAM
容量128 Mbit
接口并口
供电电压1.7 ~ 1.95 V
时钟频率166 MHz最大
电源
Voltage - Supply1.7V ~ 1.95V
交流 / 直流特性
Clock Frequency166 MHz
环境与封装
Memory Size128Mbit
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-25°C ~ 85°C (TC)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case54-TFBGA
Supplier Device Package54-VFBGA (8x9)
其他
Access Time5.4 ns
Base Product NumberW987D6
DigiKey ProgrammableNot Verified
Memory FormatDRAM
Memory InterfaceParallel
Memory Organization8M x 16
Memory TypeVolatile
MfrWinbond Electronics
Product StatusObsolete
Series-
TechnologySDRAM - Mobile LPSDR
Write Cycle Time - Word, Page15ns

技术资料