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WNMD2055-6/TR

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流18 A
导通电阻8.2 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流18 A
导通电阻8.2 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)18A
其他
导通电阻(RDS(on))8.2mΩ@4.5V,10A
数量2个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 478.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 418.1 KB · 2026-09-21
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