HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.32V，非重复浪涌正向电流（IFSM）可达60A。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与低导通损耗特性，在高频开关条件下仍能维持稳定性能，适用于对效率、体积及热管理有严苛要求的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源相关设备中的整流与续流路径。