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WPM1480-3/TR

晶体管 - FET，MOSFET - 单

单个P沟道,电流:-1.5A,耐压:-20V

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流1.4 A
导通电阻405 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流1.4 A
导通电阻405 mΩ最大 · 1.8V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.4A
其他
导通电阻(RDS(on))405mΩ@1.8V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 502.8 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 478.7 KB · 2026-09-21
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