WPM1481-6-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单该P沟道场效应管具备15V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS），连续漏极电流可达16A，导通电阻低至11mΩ。低RDON特性有助于减少功率损耗，提升系统整体效率。器件适用于中等电流负载的开关控制，常见于便携式电子产品、电池供电设备的电源管理模块、DC-DC转换电路以及各类高密度板级设计中的反向极性保护与高端开关应用，适合对导通损耗敏感的低电压大电流场景。
该P沟道场效应管具备15V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS），连续漏极电流可达16A，导通电阻低至11mΩ。低RDON特性有助于减少功率损耗，提升系统整体效率。器件适用于中等电流负载的开关控制，常见于便携式电子产品、电池供电设备的电源管理模块、DC-DC转换电路以及各类高密度板级设计中的反向极性保护与高端开关应用，适合对导通损耗敏感的低电压大电流场景。