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WPM1483-3/TR

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压12 V
连续漏极电流3.5 A
导通电阻88 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压12 V
连续漏极电流3.5 A
导通电阻88 mΩ最大 · 1.8V
电源
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)3.5A
其他
导通电阻(RDS(on))88mΩ@1.8V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 817.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 512.9 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 478.7 KB · 2026-09-21
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