WPM2015-3/TR-ES
晶体管 - FET，MOSFET - 单P沟道，-20V，-2.3A，90mΩ@-4.5V,-2.3A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流2.3 A
导通电阻142 mΩ
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流2.3 A
导通电阻142 mΩ最大 · 2.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 142mΩ@2.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |