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WPM2015-3/TR

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道,-20V-2.4A

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流2.4 A
导通电阻110 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流2.4 A
导通电阻110 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.4A
其他
导通电阻(RDS(on))110mΩ@4.5V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 807.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 512.9 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 478.7 KB · 2026-09-21
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