WPM2015-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款场效应管具有5A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及35mR的典型内阻。其VGS为12V，属于P型器件。适用于多种应用场景，如电源管理、信号放大及开关电路等，确保系统稳定运行。低内阻使其在高频开关应用中具有优势。(WPM2015-3/TR)
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流5 A
导通电阻45 mΩ
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流5 A
导通电阻45 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V,5A |
| 数量 | 1个P沟道 |