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WSC4N65

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流4 A
导通电阻2.6 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流4 A
导通电阻2.6 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
其他
导通电阻(RDS(on))2.6Ω@10V,3.5A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.7 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 603.5 KB · 2026-09-21
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