WINSOK(微硕)中国

WSE3099

晶体管 - FET，MOSFET - 单
查看国产替代问 AI FAE数据手册 PDF
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5 A
导通电阻65 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5 A
导通电阻65 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5A
其他
导通电阻(RDS(on))65mΩ@10V,5.0A
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 805.2 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 603.5 KB · 2026-09-21
进入资料中心