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WST2002

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流600 mA
导通电阻7.5 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流600 mA
导通电阻7.5 Ω最大 · 5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)600mA
其他
导通电阻(RDS(on))7.5Ω@5V,0.05A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 603.5 KB · 2026-09-21
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