WST2006
晶体管 - FET，MOSFET - 单Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 20 ID(A)Max. 0.17 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.7V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) - Qgd(nC) - Ciss(pF) 22 Coss(pF) 11 Crss(pF) 2
耐压30 V
连续漏极电流170 mA
阈值电压2 V
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耐压30 V
连续漏极电流170 mA
阈值电压2 V最大 · 250uA
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 其他 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |