WST2011-ES
晶体管 - FET，MOSFET - 单2个P沟道，-20V，-2A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：负载开关、电池保护、能量管理、DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
耐压20 V
连续漏极电流2 A
导通电阻210 mΩ
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耐压20 V
连续漏极电流2 A
导通电阻210 mΩ最大 · 1.8V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@1.8V |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |