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WST2011

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3.2 A
导通电阻115 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3.2 A
导通电阻115 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.2A
其他
导通电阻(RDS(on))115mΩ@2.5V,1A
数量2个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 657.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 603.5 KB · 2026-09-21
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