WST2078
晶体管 - FET，MOSFET - 单Configuration N+P Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -4.5 VGS(th)(v) -0.5 RDS(ON)(m?)@4.129V 65 Qg(nC)@4.5V 9.5 QgS(nC) 2.5 Qgd(nC) 1.8 Ciss(pF) 600 Coss(pF) 68 Crss(pF) 57
沟道N + P
耐压20 V
连续漏极电流5.6 A
导通电阻30 mΩ
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沟道N + P
耐压20 V
连续漏极电流5.6 A
导通电阻30 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,5A |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |