WST2N7002B
晶体管 - FET，MOSFET - 单类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：0.3A@@功率(Pd)：0.2W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1800mΩ@10V,0.3A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流300 mA
导通电阻2 Ω
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流300 mA
导通电阻2 Ω最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |