WST2N7002K-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOT23；N—Channel沟道,60V；0.3A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.6V；
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流250 mA
导通电阻2.8 Ω
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流250 mA
导通电阻2.8 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |