台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型MOSFET,采用Trench工艺,适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223;P—Channel沟道,-60V;-7A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;

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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流7 A
导通电阻65 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流7 A
导通电阻65 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7A
其他
导通电阻(RDS(on))65mΩ@4.5V
数量1个P沟道

技术资料