ZXMP6A17E6TA-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于便携式设备、汽车电子、医疗设备和工业自动化等多个领域和模块。SOT23-6；P—Channel沟道,-60V；-3.5A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~ -3V；
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流3.5 A
阈值电压1 V
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流3.5 A
阈值电压1 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |