ZXMP6A17KTC-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流30 A
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流30 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V |