ZXMP6A18KQTC-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-60V；-35A；RDS(ON)=46(mΩ)；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻58 mΩ
阈值电压3 V
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耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻58 mΩ最大 · 4.5V
阈值电压3 V最大 · 250uA
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 35A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@4.5V |