搜索结果：2N7002T
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产品搜索结果共 50+ 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET，MOSFET | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523F | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 该消费级N沟道MOSFET采用SOT-523微型封装，具有60V高耐压和0.1A电流处理能力，专为紧凑型、低功耗电子设备设计，实现精细电源管理与高效开关功能。 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | N沟道 60V 115mA | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。 | 数据手册4 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA适用于电源开关和信号控制 | 数据手册4 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 小电流MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：0.3A, Rdson：1100mR | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | N沟道,60V,0.115A,7Ω@5V | 数据手册21 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 数据手册3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 数据手册9 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 数据手册3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | N沟道,电流:115mA,耐压:60V | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 数据手册5 | 查看详情 | ||||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | N沟道,60V,115mA | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 2N7002T | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 特性：N沟道增强型MOSFET。VDS 漏-源电压 60 V。ID 漏极电流（连续） 115 mA。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。 应用：负载开关、便携设备等 | 查看详情 | |||||
| 单 FET，MOSFET | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 单 FET，MOSFET | 数据手册1 | 查看详情 | |||||
| 单 FET，MOSFET | ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage | 数据手册1 | 查看详情 |
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