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30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3

MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L

30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3

P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

MOSFET,P-channel 30V/12V 4.2A VGS(th)=1V 45mΩ@4.2A&10V,SOT-23

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A适用于电源开关和信号控制

P沟道,电流:-4.2A,耐压:-30V

P沟道,电流:-4.0A,耐压:-30V

漏源电压:30V 连续漏极电流:4.2A 导通电阻:120mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：0.4V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

AO3401A

P沟道高级功率MOSFET

这款场效应管具有4.2A的电流承载能力，最大30V的工作电压，以及45mΩ的典型内阻。其VGS为12V，属于P型器件。适用于需要高效能、低功耗控制的应用场景，如电源管理、负载开关等，确保系统的稳定运行。

MOSFET P-CHANNEL 30V 4A SOT23-3

MOSFET P-CHANNEL 30V 4A SOT23-3

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3

MOSFET P-CH 30V SOT23

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A适用于电源开关和信号控制

AO3401A-CN