搜索结果：AO4614B

MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

耐压:40V 电流:7.5A

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AO4614B 是一款N+P沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装，适应现代电子产品的小型化需求。器件具备40V的最大工作电压VDSS，可持续输出6A的漏极电流ID，确保高效稳定的电力传输。其导通电阻RD(on)低至26mΩ，有效降低功耗并提升系统能效。AO4614B MOS管广泛应用于电源转换、负载开关、电机驱动控制等领域，是您实现高效率、低损耗电路设计的理想选择。

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；