搜索结果：BSS84PH6327

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产品搜索结果共 11 条

对比	产品型号	品牌	分类	产品描述	技术资料	替代	操作
	BSS84PH6327		单 FET，MOSFET		数据手册1		查看详情
	BSS84PH6327		单 FET，MOSFET		数据手册1		查看详情
	BSS84PH6327		晶体管 - FET，MOSFET - 单	P沟道,60V,170mA,8Ω@10V	数据手册1		查看详情
	BSS84PH6327XTSA1		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3	数据手册1		查看详情
	BSS84PH6327XTSA2		单 FET，MOSFET	MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3	数据手册1		查看详情
	BSS84PH6327XTSA2		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3	数据手册1		查看详情
	BSS84PH6327-MS		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOS管类型：P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5Ω@10V,300mA	数据手册5		查看详情
	BSS84PH6327-VB		晶体管 - FET，MOSFET - 单	台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；	数据手册1		查看详情
	BSS84PH6327(ES)		晶体管 - FET，MOSFET - 单	带ESD防护类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA	数据手册4		查看详情
	BSS84PH6327-HXY		晶体管 - FET，MOSFET - 单	该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于50V电压系统，额定电流为0.1A。具有低导通电阻和快速开关性能，特别适合于电池保护、信号切换等低功耗应用场景，实现精准可靠的功率控制功能。	数据手册2		查看详情
	BSS84PH6327XTSA1		单 FET，MOSFET	MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3	数据手册1		查看详情

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