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DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO252

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）低至1.4V，具备优异的导通效率和较低的功率损耗。得益于碳化硅材料的高热导率和快速开关特性，该器件在高频工作环境下仍能保持稳定的电气性能，反向恢复时间短，可有效减少开关损耗。适用于高效率开关电源、光伏逆变系统、服务器电源模块以及对能效和散热性能有较高要求的电力转换电路，有助于提升系统整体功率密度与运行可靠性。