搜索结果：G2301S
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产品搜索结果共 1 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个P沟道；漏源电压(Vdss) 20V；连续漏极电流(Id) 2.3A；功率(Pd) 1.2W；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@4.5V,3A；阈值电压(Vgs(th)@Id) 600mV@250uA；栅极电荷(Qg@Vgs) 800pC@4.5V；输入电容(Ciss@Vds) 330pF@10V；反向传输电容(Crss@Vds) 45pF@10V；工作温度 -55℃~+150℃@(Tj) | 数据手册3 | 查看详情 |
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