搜索结果：G2302

商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 20V；连续漏极电流(Id) 2.3A；功率(Pd) 1W；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 48mΩ@4.5V,2A；阈值电压(Vgs(th)@Id) 600mV@250uA；栅极电荷(Qg@Vgs) 5.4nC@4.5V；输入电容(Ciss@Vds) 160pF@10V；反向传输电容(Crss@Vds) 25pF@10V；工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

G2302B1 是一款为控制 N&N 沟道 MOSFETs而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3个半桥，共驱动 3 个上臂 N 沟道功率MOSFETs和3个下臂 N沟道功率MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制， 由MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了 3.3/5V 的 LDO，电流能力达 到 100mA。 内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。 G2302B1 封装类型为 TSSOP20