搜索结果：G2306
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产品搜索结果共 3 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 30V；连续漏极电流(Id) 3.16A；功率(Pd) 750mW；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 47mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V； | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V； | 数据手册1 | 查看详情 |
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