搜索结果：GC041N65QF
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| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET，MOSFET | 【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至44mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源电压范围为-8V至+20V（VGS），具备良好的驱动兼容性与开关特性。器件基于碳化硅材料，相较传统硅基MOSFET，在高频、高温工作条件下展现出更低的导通与开关损耗，适合用于对能效和热管理要求较高的电源系统中。 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 单 FET，MOSFET | MOSFET | 数据手册1 | 查看详情 |
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